Российскими учеными объявлено о создании весьма интересной технологии, позволяющей интегрировать мемристорные устройства в процесс по производству кремниевых микрочипов. Это позволит выпускать в России достаточно перспективную мемристорную память формата RRAM.
Как уточняется, специалистами была разработана и реализована технология интегральной схемы, необходимой для запуска производства отечественных чипов RRAM, в основе которой сочетаются традиционная технология на основе кремния и передовых исследований в области хранения информации, подготовленных в НЦФМ.
Если точнее, инженеры НЦФМ предложили подход, обеспечивающий применение верхних слоев металлизации обычных чипов для расположения на них мемристоров, которые, в свою очередь, являются особого типа резисторами с эффектом собственной памяти и электрическое сопротивление которых напрямую зависит от ранее проходившего через него тока.
Такое свойство мемристоров в перспективе позволит применять их для производства экономичных и быстрых типов памяти, имеющих скорость работы оперативной памяти и энергонезависимость флэш-памяти, а также для создания аналогов или заменителей нервных окончаний.